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领耐半导体申请组对结构单存储管NOR闪存专利，有利于闪存面积缩小

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2026-01-01 15:18:19

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国家知识产权局信息显示，上海领耐半导体技术有限公司申请一项名为“组对结构的单存储管NOR闪存及其制作方法”的专利，公开号CN121240446A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种组对结构的单存储管NOR闪存及其制作方法。该制作方法中，基底上的第二介质层覆盖组对存储单元上的第一接触结构；第二介质层上的刻蚀停止层的多个第一自对准开口分别与多个第一接触结构位置对应，且宽度小于第一接触结构的宽度；在刻蚀停止层上依次生成第三介质层和多条心轴结构；在每条心轴结构的两侧形成侧墙；去除心轴结构；在侧墙的掩蔽下且在刻蚀停止层的限制下，刻蚀第三介质层和第二介质层形成多条局部位线凹槽，一条局部位线凹槽的一部分底面位于第一自对准开口下方并露出一列第一接触结构；在局部位线凹槽内填充导电材料形成多条局部位线。这样可以缩小相邻局部位线之间的间距，有利于闪存面积缩小。

天眼查资料显示，上海领耐半导体技术有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，上海领耐半导体技术有限公司专利信息7条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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