三安集成电路申请HEMT器件及其制作方法和射频模组专利，提高HEMT的电学特性_资讯

三安集成电路申请HEMT器件及其制作方法和射频模组专利，提高HEMT的电学特性

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2025-12-31 16:09:13

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国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种HEMT器件及其制作方法和射频模组”的专利，公开号CN121241674A，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种HEMT器件及其制作方法和射频模组。制作方法包括提供一衬底；于衬底上生长外延结构；于外延结构上沉积钝化介质层；自外延结构表面向衬底方向进行离子注入以形成离子注入区；于离子注入区内形成延伸至至少部分外延结构的第三沟槽；第三沟槽底部的面积大于第三沟槽底部在衬底上的正投影面积；离子注入区在衬底上的正投影面积大于第三沟槽底部在衬底上的正投影面积；于第三沟槽上沉积金属层，形成欧姆接触。通过上述步骤，在保证优良性能的同时进一步降低欧姆接触电阻，提高HEMT的电学特性。

天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目90次，专利信息354条，此外企业还拥有行政许可105个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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