紫亦芯申请基于aEASI技术的电源芯片封装结构专利，显著提升散热效率与功率密度_资讯

紫亦芯申请基于aEASI技术的电源芯片封装结构专利，显著提升散热效率与功率密度

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2026-06-03 10:24:15

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国家知识产权局信息显示，北京紫亦芯集成电路有限公司申请一项名为“一种基于aEASI技术的电源芯片封装结构及方法”的专利，公开号CN122121684A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于aEASI技术的电源芯片封装结构及方法，包括在有机基板上蚀刻空腔；制备带缺口的W形导线架；在导线架上下两面分别贴装Mosfet芯片与电源芯片，形成对称布局；将芯片‑导线架组件嵌入空腔，填充介电材料并层压铜箔形成封装体；采用激光钻孔形成导通孔，经电镀填充形成垂直导电柱，并在上下表面形成铜层；依次在两侧铜层上制作扇出型导电结构；最后进行防焊处理、设置焊盘，并在下表面植焊球、上表面通过共晶与高导热胶贴装散热片。该结构以垂直导电柱替代金线，大幅降低寄生电感；结合W形导线架与双面散热设计，显著提升散热效率与功率密度，适用于高功率、高频开关应用场景。

天眼查资料显示，北京紫亦芯集成电路有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本21000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京紫亦芯集成电路有限公司参与招投标项目27次，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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