江苏东海半导体申请集成异质结二极管的SiC槽栅MOSFET及其制备方法专利，降低正向比导通电阻_资讯

江苏东海半导体申请集成异质结二极管的SiC槽栅MOSFET及其制备方法专利，降低正向比导通电阻

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2025-12-08 17:07:25

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国家知识产权局信息显示，江苏东海半导体股份有限公司申请一项名为“一种集成异质结二极管的SiC槽栅MOSFET及其制备方法”的专利，公开号CN121078738A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明涉及功率半导体技术领域，具体为一种集成异质结二极管的SiC槽栅MOSFET及其制备方法。本发明通过在元胞内四个角上分别设置了深入SiC体内较重掺杂的N型电流增强层的重掺杂P型多晶硅或者NiO，其各个面与N型电流增强层构成低开启压降的异质结二极管，并且槽每侧的两个异质结柱之间的N型电流增强层和表面金属形成肖特基二极管。本发明通过采用柱形异质结深入SiC体内构成异质结二极管的方案，可以显著增大正向以及反向导电时的电流路径，从而降低正向比导通电阻和反向导通压降。

天眼查资料显示，江苏东海半导体股份有限公司，成立于2004年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8150万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏东海半导体股份有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息229条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示东海电流投资降低半导体集成专利二极管槽栅肖特基异质

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