纳微格半导体取得低寄生电感封装基板及功率模块专利，减少寄生电感_资讯

纳微格半导体取得低寄生电感封装基板及功率模块专利，减少寄生电感

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2025-12-08 12:36:52

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国家知识产权局信息显示，上海纳微格半导体科技有限公司取得一项名为“低寄生电感封装基板及功率模块”的专利，授权公告号CN223638372U，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本实用新型提供一种低寄生电感封装基板及功率模块，其中低寄生电感封装基板包括第一陶瓷基板、第一覆铜层、第二覆铜层、电隔离结构以及电连接结构；第一覆铜层设置于第一陶瓷基板的上表面；第二覆铜层设置于第一覆铜层的上方且与第一覆铜层之间设置有电隔离结构；第一覆铜层所在平面以及第二覆铜层所在平面相互平行；第一覆铜层在垂直方向上的投影以及第二覆铜层在垂直方向上的投影至少部分重叠；电连接结构的第一端电连接第一覆铜层，第二端电连接第二覆铜层。本实用新型通过叠置的多层覆铜层将电流流径空间上反向，减少了寄生电感，避免了功率器件由于寄生电感过大导致换流时产生的尖峰电压、最终导致系统不稳定等问题。

天眼查资料显示，上海纳微格半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海纳微格半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息5条，专利信息5条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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