南亚科技申请存储器装置与其制造方法专利，防止底电极层在形成电容器期间受到平坦化工艺及蚀刻工艺的损坏
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2025-12-05 12:09:39
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置与其制造方法”的专利，公开号CN 121057209 A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，一种存储器的制造方法，包括以下步骤：在基板上方形成介电层堆叠；形成穿过介电层堆叠的开口；形成衬在开口上的底电极层；形成密封开口的保护层，其中形成保护层的步骤包括以下步骤：使用氮等离子体执行第一沉积工艺以形成第一介电层，及使用氧等离子体执行第二沉积工艺以形成第二介电层；移除保护层的一部分，直至曝露介电层堆叠的顶表面，且保护层的另一部分保留在原位；沿底电极层的侧壁及保护层的侧壁形成高k介电层；及沿高k介电层的侧壁形成顶电极层。电容器中的保护层可用于防止底电极层在形成电容器期间受到平坦化工艺及蚀刻工艺的损坏。
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