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中微公司获得发明专利授权：“一种半导体结构的形成方法”

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2025-09-09 08:09:36

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的形成方法”，专利申请号为CN202010701999.8，授权日为2025年9月9日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底，基底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区的基底内分别具有至少一个开口，所述开口内具有涂层，其中，第一区涂层的厚度小于第二区涂层的厚度；向所述涂层的表面通入刻蚀气体、沉积气体和稀释气体，对涂层进行处理；所述稀释气体用于促进聚合物在第一区开口内的沉积速率大于基底表面的沉积速率，以缩小第一区涂层与第二区涂层的厚度差。利用所述方法能够降低第一区与第二区涂层的厚度差。

今年以来中微公司新获得专利授权116个，较去年同期增加了27.47%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了11.16亿元，同比增96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目67次；财产线索方面有商标信息98条，专利信息1533条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可76个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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