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宏发申请继电器负载连接结构专利，降低PCB板上其他发热元器件对继电器的影响
国家知识产权局信息显示，漳州宏发电声有限公司申请一项名为“一种继电器负载连接结构及继电器”的专利，公开号CN121545964A，申请日期为2025年12月。 ...
浙江晟霖益嘉取得基于安全继电器的半导体设备控制电路专利，能够快速定位EMO/急停回路的故障位置
国家知识产权局信息显示，浙江晟霖益嘉科技有限公司取得一项名为“一种基于安全继电器的半导体设备控制电路”的专利，授权公告号CN223926786U，申请日期为20...
卓怡恒通取得计算机网口灯防泄密电路专利，能够防止泄密
国家知识产权局信息显示，长治市卓怡恒通信息安全有限公司取得一项名为“计算机的网口灯防泄密电路”的专利，授权公告号CN223927833U，申请日期为2025年2...
华之杰取得应用于换向开关的长寿命换向机构专利，有效提高换向机构的使用寿命
国家知识产权局信息显示，苏州华之杰电讯股份有限公司取得一项名为“应用于换向开关的长寿命换向机构”的专利，授权公告号CN223927242U，申请日期为2025年...
平顶山三和高压开关取得低压开关柜接线绝缘防护结构专利，保证低压开关柜的正常使用
国家知识产权局信息显示，平顶山三和高压开关有限公司取得一项名为“一种低压开关柜接线绝缘防护结构”的专利，授权公告号CN223927903U，申请日期为2025年...
山东科惠电子取得具有防水结构设计的互感器专利
国家知识产权局信息显示，山东科惠电子科技有限公司取得一项名为“一种具有防水结构设计的互感器”的专利，授权公告号CN115762971B，申请日期为2022年12...
广汽零部件取得汽车座椅电机控制系统专利，有效减少继电器的使用数量
国家知识产权局信息显示，广汽零部件有限公司取得一项名为“一种汽车座椅的电机控制系统”的专利，授权公告号CN223928248U，申请日期为2025年1月。 专利...
特斯拉在韩国招聘人工智能芯片设计工程师
特斯拉(TSLA.O)CEO埃隆·马斯克转发Tesla AI的公告，该公告称公司正在韩国招聘 人工智能芯片设计工程师。马斯克表示：“如果你身处韩国，并且想要从事...
紫光同创申请脉宽检测电路及现场可编程门阵列专利，受工艺、电压、温度以及电源噪声干扰小
国家知识产权局信息显示，深圳市紫光同创电子股份有限公司申请一项名为“脉宽检测电路及现场可编程门阵列”的专利，公开号CN121547024A，申请日期为2025年...
华电郑州机械设计研究院申请组合仓壁结构专利，避免空气或水蒸气对嵌入钢板造成腐蚀
国家知识产权局信息显示，华电郑州机械设计研究院有限公司申请一项名为“一种组合仓壁结构”的专利，公开号CN121539153A，申请日期为2025年12月。 专利...
海光云芯申请地址比较电路专利，能够降低地址比较的延迟
国家知识产权局信息显示，海光云芯集成电路设计（上海）有限公司申请一项名为“一种地址比较电路、半导体存储器和电子设备”的专利，公开号CN121545562A，申请...
林宇电子取得电容膜高效冷却装置专利，提高制冷效果
国家知识产权局信息显示，南通市林宇电子有限公司取得一项名为“一种电容膜生产用高效冷却装置”的专利，授权公告号CN223918427U，申请日期为2025年1月。...
盛剑半导体取得配气机构及抽真空系统专利，实现不同强度的吹扫效果
国家知识产权局信息显示，上海盛剑半导体科技有限公司取得一项名为“一种配气机构以及抽真空系统”的专利，授权公告号CN223923213U，申请日期为2025年2月...
汉可泛半导体取得用于镀膜设备的载板专利，有效降低载板加热变形的不均匀性
国家知识产权局信息显示，江西汉可泛半导体技术有限公司取得一项名为“一种用于镀膜设备的载板、载板组件以及镀膜设备”的专利，授权公告号CN223921548U，申请...
江苏盘古半导体申请扇出型面板级封装方法专利，能显著降低封装翘曲
国家知识产权局信息显示，江苏盘古半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种扇出型面板级封装方法及其对应的封装结构”的专利，公开号CN121532065A，申请日期...
股价还能再涨55%！英国对冲基金押注：全球最大马桶制造商TOTO将是AI芯片隐形赢家
英国激进投资者Palliser Capital将日本卫浴巨头TOTO视为"被低估且被忽视"的AI投资机会，这家以智能马桶闻名的制造商正凭借其先进陶瓷业务在半导体...
江苏中轨取得车门限位开关检查工装专利，很大程度上节约了检修时间
国家知识产权局信息显示，江苏中轨交通科技有限公司取得一项名为“一种车门限位开关检查工装”的专利，授权公告号CN223917961U，申请日期为2025年4月。 ...
超晶晟锐光电申请改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度方法专利，显著降低红外探测器的暗电流
国家知识产权局信息显示，浙江超晶晟锐光电有限公司申请一项名为“一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法”的专利，公开号CN121531818A，申请...
拓迪化学申请电荷转移复合物基光引发剂专利，胶粘剂可用于粘接低紫外光透射基材
国家知识产权局信息显示，拓迪化学（上海）股份有限公司申请一项名为“电荷转移复合物基光引发剂、胶粘剂组合物及其制备方法”的专利，公开号CN121517338A，申...
新微半导体取得半导体器件及其制备方法专利
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司取得一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN115881777B，申请日期为2022年12月。...