资讯

华虹宏力取得提高读取速度的时序电路专利

国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司取得一项名为“提高读取速度的时序电路”的专利,授权公告号CN115632637B,申请日期为2022年10...

中国石油取得针对弱胶结易碎易水解泥岩电阻率测量方法专利

国家知识产权局信息显示,中国石油天然气股份有限公司取得一项名为“一种针对弱胶结、易碎易水解泥岩电阻率测量方法”的专利,授权公告号CN116840022B,申请日...

华为取得基于图像传感器位移式的三轴光学防抖系统专利

国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司取得一项名为“基于图像传感器位移式的三轴光学防抖系统、方法和装置”的专利,授权公告号CN115842910B,申请日期为...

雪利曼电子仪表取得车身网络安全通信方法及系统专利

国家知识产权局信息显示,宁波市海曙雪利曼电子仪表有限公司取得一项名为“一种用于车身网络的安全通信方法及系统”的专利,授权公告号CN121262014B,申请日期...

华脉科技:拟1亿元投资芯慧微电子

每经AI快讯,3月27日,华脉科技公告称,公司拟以自有资金1亿元认购芯慧微电子(山东)有限公司新增注册资本85.5854万元,交易完成后将持有其6.4103%股...

同宇新材:产品最终主要应用于计算机、消费电子、汽车电子、通讯等领域

证券之星消息,同宇新材(301630)03月26日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者:董秘您好,贵公司招股书20页明确记载,公司采取直销模式,直接...

美光科技取得存储器电路系统及其形成方法专利

国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法”的专利,授权公告号CN115547379B,申请日期为2022年...

富联精密电子取得理线装置专利

国家知识产权局信息显示,富联精密电子(天津)有限公司取得一项名为“理线装置”的专利,授权公告号CN115693533B,申请日期为2021年7月。 天眼查资料显...

圣邦微电子取得带隙基准电路专利

国家知识产权局信息显示,圣邦微电子(北京)股份有限公司取得一项名为“带隙基准电路”的专利,授权公告号CN115562425B,申请日期为2022年9月。 天眼查...

京东方华灿光电取得废液回收系统及方法专利

国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司取得一项名为“废液回收系统及方法”的专利,授权公告号CN116068866B,申请日期为2023年1月。 ...

南京芯视界申请单光子雪崩二极管探测器及其制备方法专利,有效改善成像质量和生产制造良率

国家知识产权局信息显示,南京芯视界微电子科技有限公司申请一项名为“一种单光子雪崩二极管探测器及其制备方法”的专利,公开号CN121751791A,申请日期为20...

铂力特取得低界面电阻固态电池制造方法专利

国家知识产权局信息显示,西安铂力特增材技术股份有限公司取得一项名为“低界面电阻固态电池的制造方法”的专利,授权公告号CN115224369B,申请日期为2022...

现货和诺泰科技推荐一款小华单片机HC32F002C4PZ-TSSOP20TR

HC32F002C4PZ-TSSOP20TR 是由华大半导体(HDSC)推出的一款高性能、低成本的32位微控制器(MCU),基于ARM® Cortex®-M0+...

金天弘科技取得无源传感器数据传输优化方法专利

国家知识产权局信息显示,金天弘科技(北京)有限公司取得一项名为“一种无源传感器数据传输优化方法”的专利,授权公告号CN120302251B,申请日期为2025年...

福莱新材成立新公司 含光电子器件业务

人民财讯3月27日电,企查查APP显示,近日,浙江福莱芯感科技股份有限公司成立,经营范围包含:光电子器件制造;光电子器件销售;光学仪器制造;光学仪器销售;环境监...

涨幅榜丨同类涨幅第一!科创芯片设计ETF广发(589210)涨1.0%

3月27日,科创芯片设计ETF广发(589210)报收1.106元,收涨1.0%,成交金额114.3万元。同类基金中涨幅第一。 科创芯片设计ETF广发成立于2...

专家解读:“香山”“如意”软硬协同深度适配 助力开源芯片规模化应用

中新网北京3月27日电 (记者 孙自法)“香山”开源高性能RISC-V(第五代精简指令集)处理器系统、“如意”RISC-V原生操作系统在2026中关村论坛年会R...

上海光通信申请半导体结构制备方法与半导体设备专利,可提高晶圆整体关键尺寸分布的均匀性

国家知识产权局信息显示,上海光通信有限公司申请一项名为“半导体结构制备方法与半导体设备”的专利,公开号CN121752036A,申请日期为2024年9月。 专利...

三安半导体申请一种发光二极管及发光装置专利,有利于提高发光二极管的光效

国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利,公开号CN121751844A,申请日期为2024年4月。 专...

晋华集成取得半导体结构及其制备方法专利

国家知识产权局信息显示,福建省晋华集成电路有限公司取得一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利,授权公告号CN115939213B,申请日期为2022年11月。...

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股票行情快报:中富电路(300... 证券之星消息,截至2026年5月11日收盘,中富电路(300814)报收于117.85元,下跌0.9...