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大华技术取得供电保护电路及系统专利
国家知识产权局信息显示，浙江大华技术股份有限公司取得一项名为“一种供电保护电路、高压直流供电设备及系统”的专利，授权公告号CN114825266B，申请日期为2...
动扬取得智能节能照明开关控制电路专利，有效降低照明控制系统的能耗
国家知识产权局信息显示，动扬（厦门）科技有限公司取得一项名为“智能节能照明开关控制电路”的专利，授权公告号CN223978787U，申请日期为2025年1月。 ...
叶饰恒精密机械取得新能源精密导电片专利，确保电流被安全稳定的导向外部设备
国家知识产权局信息显示，苏州工业园区叶饰恒精密机械有限公司取得一项名为“一种新能源精密导电片”的专利，授权公告号CN223978028U，申请日期为2025年2...
2026年 油式稳压器厂家实力推荐：专业制造与高效稳定性能深度解析
2026年油式稳压器厂家实力推荐：专业制造与高效稳定性能深度解析 在当今高度依赖稳定电力的工业与商业环境中，电能质量已成为保障生产连续性、设备安全性和运营效率...
常州创稳电气：出口日本稳压器的品质标杆
近年来，日本工业市场对电压稳定设备的需求持续增长，但其严苛的技术标准与合规要求成为中国企业出口的核心壁垒。常州创稳电气作为国内领先的稳压器制造商，凭借对日本市场...
上交所：对标普油气ETF、中韩半导体ETF、*ST正平等进行重点监控
据上交所发布3月6日消息，2026年3月2日至2026年3月6日，上交所公司监管部门共发送监管函件15份，其中监管问询函1份、监管工作函14份；通过事中事后监管...
2026 光固化光敏树脂哪家强？5 大高口碑品牌闭眼入！
随着 3D 打印技术在工业生产、创意设计、医疗齿科等领域的渗透率持续提升，光固化光敏树脂作为 “打印灵魂耗材”，其性能直接决定成型精度、耐用性与应用边界。202...
壁仞科技取得多芯片单元加速卡模型训练方法专利
国家知识产权局信息显示，上海壁仞科技股份有限公司取得一项名为“模型训练方法、模型训练装置、电子设备和存储介质”的专利，授权公告号CN121279388B，申请日...
天域半导体取得降低碳化硅外延背景掺杂浓度方法专利
国家知识产权局信息显示，广东天域半导体股份有限公司取得一项名为“降低碳化硅外延背景掺杂浓度的方法”的专利，授权公告号CN114899089B，申请日期为2022...
普睿云创申请PCB结构专利，有效降低差分信号走线由于长度不一致导致的共模噪声
国家知识产权局信息显示，广东普睿云创科技有限公司申请一项名为“PCB结构、高密度连接器和电子设备”的专利，公开号CN121619743A，申请日期为2025年1...
中国电力科学研究院申请有载分接开关真空管机械弹跳数据生成方法及系统专利，可生成预设数量的有载分接开关真空管机械弹跳数据
国家知识产权局信息显示，中国电力科学研究院有限公司申请一项名为“一种有载分接开关真空管机械弹跳数据生成方法及系统”的专利，公开号CN121615455A，申请日...
北京知识产权运营管理申请半导体集成电路基本单元及其形成方法和布局专利，改善VFET器件构成的集成电路性能
国家知识产权局信息显示，北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“一种半导体集成电路基本单元及其形成方法、布局”的专利，公开号CN121619960A，申请日期...
浩伟电子申请电容器用聚丙烯薄膜缺陷检测与分切机构专利，提高薄膜的测试灵活性
国家知识产权局信息显示，宁国市浩伟电子科技有限公司申请一项名为“一种电容器用聚丙烯薄膜缺陷检测与分切机构及方法”的专利，公开号CN121613089A，申请日期...
一汽取得具有EMI抑制的驱动电路专利
国家知识产权局信息显示，中国第一汽车股份有限公司取得一项名为“具有EMI抑制的驱动电路及汽车电机驱动系统”的专利，授权公告号CN114977774B，申请日期为...
力鼎光电(605118.SH)：伊威达减持15.09万股公司股份
格隆汇3月6日丨力鼎光电(605118.SH)公布，2026年3月6日，公司收到控股股东及其一致行动人的通知：依照前述减持计划，2026年3月5日至2026年3...
上海纬钛科技申请一种触觉视觉传感器专利，用于采集柔性触摸件产生的形变的图像
国家知识产权局信息显示，上海纬钛科技有限公司申请一项名为“传感器”的专利，公开号CN121612165A，申请日期为2024年12月。 专利摘要显示，本发明公开...
拓尔微电子取得新型电源控制装置专利
国家知识产权局信息显示，拓尔微电子股份有限公司取得一项名为“一种电源控制装置、芯片、充电仓以及耳机”的专利，授权公告号CN114421560B，申请日期为202...
华为申请电子设备专利，提高外形美观性
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“电子设备”的专利，公开号CN121619391A，申请日期为2023年4月。 专利摘要显示，本申请涉及终端...
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体器件的制作良率
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121619944A，申请日期为2024年8...
半导体元件工业申请实现可润湿翼侧的半导体封装件专利，实现可润湿翼侧
国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“实现可润湿翼侧的半导体封装件和相关方法”的专利，公开号CN121620231A，申请日期为202...