资讯

英飞凌取得具有变压器的电路以及在电路中应用的方法专利

国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有变压器的电路以及在电路中应用的方法”的专利,授权公告号CN112750604B,申请日期为202...

纳吉伏取得具备自恢复能力的零磁通电流传感器专利,提高零磁通电流传感器工作的适应性与可靠性

国家知识产权局信息显示,无锡纳吉伏科技有限公司取得一项名为“具备自恢复能力的零磁通电流传感器”的专利,授权公告号CN223883650U,申请日期为2024年1...

上海利韬电子取得具有集成过电流和过温保护功能的USB电缆专利

国家知识产权局信息显示,上海利韬电子有限公司取得一项名为“具有集成的过电流保护和过温保护的USB电缆”的专利,授权公告号CN115606057B,申请日期为20...

华泰柏瑞基金的中韩半导体ETF(513310)主力资金流出1.28亿元

2月6日,中韩半导体ETF(513310)报收3.405元,收跌0.29%,成交金额50.5亿元。主力资金(单笔成交额100万元以上)流出金额达1.28亿元。 ...

仪电电子取得光波导显示电路专利,能够稳定传输并显示

国家知识产权局信息显示,上海仪电电子(集团)有限公司;重庆德科电子仪表有限公司取得一项名为“一种光波导显示电路”的专利,授权公告号CN223885242U,申请...

OPPO取得电致变色模组、盖板组件和电子设备专利

国家知识产权局信息显示,OPPO广东移动通信有限公司取得一项名为“电致变色模组、盖板组件和电子设备”的专利,授权公告号CN115704979B,申请日期为202...

灵通电子取得电容器检测装置专利,提高检测效率

国家知识产权局信息显示,杭州灵通电子有限公司取得一项名为“一种适用于电容器的检测装置”的专利,授权公告号CN223883522U,申请日期为2024年12月。 ...

晶科能源取得背接触光伏电池专利提升光电转换效率

国家知识产权局信息显示,浙江晶科能源有限公司取得一项名为“背接触光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件”的专利,授权公告号CN121001460B,申请日期为...

星思半导体完成15亿元融资!

2月6日消息,国产5G/6G通信基带芯片企业上海星思半导体有限公司(以下简称“星思半导体”)近期完成了多轮战略融资,累计金额近15亿元。 资料显示,星思半导体成...

陆博汽车电子取得轮速传感器和汽车专利,实现轮速传感器灵活多变的安装方式

国家知识产权局信息显示,陆博汽车电子(曲阜)有限公司取得一项名为“一种轮速传感器和汽车”的专利,授权公告号CN223883591U,申请日期为2025年3月。 ...

智恩电子取得便于褪膜的PCB半成品专利,提升褪膜的效率和质量

国家知识产权局信息显示,智恩电子(大亚湾)有限公司取得一项名为“一种便于褪膜的PCB半成品”的专利,授权公告号CN223885376U,申请日期为2025年3月...

星环聚能取得高温超导磁体电流引线结构专利,能快速带走传导的热量和焦耳热

国家知识产权局信息显示,北京星环聚能科技有限公司取得一项名为“一种用于高温超导磁体的电流引线结构”的专利,授权公告号CN223884230U,申请日期为2025...

芯达半导体取得涂胶显影机故障检测方法专利

国家知识产权局信息显示,芯达半导体设备(苏州)有限公司取得一项名为“一种涂胶显影机的故障检测方法和装置”的专利,授权公告号CN115950660B,申请日期为2...

艾科威半导体取得水冷恒温槽专利

国家知识产权局信息显示,湖南艾科威半导体装备有限公司取得一项名为“一种水冷恒温槽”的专利,授权公告号CN119406470B,申请日期为2024年12月。 天眼...

兆驰半导体取得ITO透明导电层制备方法及LED芯片专利

国家知识产权局信息显示,江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“ITO透明导电层的制备方法及LED芯片”的专利,授权公告号CN119816026B,申请日期为202...

上海叠铖光电申请基于FPGA动态重构的超宽光谱图像处理专利,可提升FPGA资源利用率

国家知识产权局信息显示,上海叠铖光电科技有限公司申请一项名为“一种基于FPGA动态重构的超宽光谱图像处理方法及系统”的专利,公开号CN121458520A,申请...

主力榜丨同类流入金额第一!半导体设备ETF华夏(562590)流入1287.5万元

2月6日,半导体设备ETF华夏(562590)报收1.878元,收跌0.74%,成交金额1.22亿元。主力资金(单笔成交额100万元以上)流入金额达1287.5...

中图半导体取得图形化蓝宝石衬底制备专利

国家知识产权局信息显示,广东中图半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种图形化蓝宝石衬底、制备方法和LED外延片”的专利,授权公告号CN116093211B,申...

上海华力取得金属氧化物半导体场效应管版图结构专利

国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“金属氧化物半导体场效应管版图结构”的专利,授权公告号CN116207153B,申请日期为202...

半导体设备ETF易方达(159558)盘中成交金额超2.3亿,获净申购4700万份;半导体巨头英飞凌宣布涨价

截至13:24,中证半导体材料设备主题指数(931743)涨0.93%,权重股中,中微公司跌0.7%,北方华创涨1.8%,沪硅产业涨1.1%,华海清科涨0.7%...

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