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英飞凌取得具有变压器的电路以及在电路中应用的方法专利
国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司取得一项名为“具有变压器的电路以及在电路中应用的方法”的专利，授权公告号CN112750604B，申请日期为202...
纳吉伏取得具备自恢复能力的零磁通电流传感器专利，提高零磁通电流传感器工作的适应性与可靠性
国家知识产权局信息显示，无锡纳吉伏科技有限公司取得一项名为“具备自恢复能力的零磁通电流传感器”的专利，授权公告号CN223883650U，申请日期为2024年1...
上海利韬电子取得具有集成过电流和过温保护功能的USB电缆专利
国家知识产权局信息显示，上海利韬电子有限公司取得一项名为“具有集成的过电流保护和过温保护的USB电缆”的专利，授权公告号CN115606057B，申请日期为20...
华泰柏瑞基金的中韩半导体ETF（513310）主力资金流出1.28亿元
2月6日，中韩半导体ETF（513310）报收3.405元，收跌0.29%，成交金额50.5亿元。主力资金（单笔成交额100万元以上）流出金额达1.28亿元。 ...
仪电电子取得光波导显示电路专利，能够稳定传输并显示
国家知识产权局信息显示，上海仪电电子（集团）有限公司;重庆德科电子仪表有限公司取得一项名为“一种光波导显示电路”的专利，授权公告号CN223885242U，申请...
OPPO取得电致变色模组、盖板组件和电子设备专利
国家知识产权局信息显示，OPPO广东移动通信有限公司取得一项名为“电致变色模组、盖板组件和电子设备”的专利，授权公告号CN115704979B，申请日期为202...
灵通电子取得电容器检测装置专利，提高检测效率
国家知识产权局信息显示，杭州灵通电子有限公司取得一项名为“一种适用于电容器的检测装置”的专利，授权公告号CN223883522U，申请日期为2024年12月。 ...
晶科能源取得背接触光伏电池专利提升光电转换效率
国家知识产权局信息显示，浙江晶科能源有限公司取得一项名为“背接触光伏电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件”的专利，授权公告号CN121001460B，申请日期为...
星思半导体完成15亿元融资！
2月6日消息，国产5G/6G通信基带芯片企业上海星思半导体有限公司（以下简称“星思半导体”）近期完成了多轮战略融资，累计金额近15亿元。 资料显示，星思半导体成...
陆博汽车电子取得轮速传感器和汽车专利，实现轮速传感器灵活多变的安装方式
国家知识产权局信息显示，陆博汽车电子（曲阜）有限公司取得一项名为“一种轮速传感器和汽车”的专利，授权公告号CN223883591U，申请日期为2025年3月。 ...
智恩电子取得便于褪膜的PCB半成品专利，提升褪膜的效率和质量
国家知识产权局信息显示，智恩电子（大亚湾）有限公司取得一项名为“一种便于褪膜的PCB半成品”的专利，授权公告号CN223885376U，申请日期为2025年3月...
星环聚能取得高温超导磁体电流引线结构专利，能快速带走传导的热量和焦耳热
国家知识产权局信息显示，北京星环聚能科技有限公司取得一项名为“一种用于高温超导磁体的电流引线结构”的专利，授权公告号CN223884230U，申请日期为2025...
芯达半导体取得涂胶显影机故障检测方法专利
国家知识产权局信息显示，芯达半导体设备（苏州）有限公司取得一项名为“一种涂胶显影机的故障检测方法和装置”的专利，授权公告号CN115950660B，申请日期为2...
艾科威半导体取得水冷恒温槽专利
国家知识产权局信息显示，湖南艾科威半导体装备有限公司取得一项名为“一种水冷恒温槽”的专利，授权公告号CN119406470B，申请日期为2024年12月。 天眼...
兆驰半导体取得ITO透明导电层制备方法及LED芯片专利
国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司取得一项名为“ITO透明导电层的制备方法及LED芯片”的专利，授权公告号CN119816026B，申请日期为202...
上海叠铖光电申请基于FPGA动态重构的超宽光谱图像处理专利，可提升FPGA资源利用率
国家知识产权局信息显示，上海叠铖光电科技有限公司申请一项名为“一种基于FPGA动态重构的超宽光谱图像处理方法及系统”的专利，公开号CN121458520A，申请...
主力榜丨同类流入金额第一！半导体设备ETF华夏（562590）流入1287.5万元
2月6日，半导体设备ETF华夏（562590）报收1.878元，收跌0.74%，成交金额1.22亿元。主力资金（单笔成交额100万元以上）流入金额达1287.5...
中图半导体取得图形化蓝宝石衬底制备专利
国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种图形化蓝宝石衬底、制备方法和LED外延片”的专利，授权公告号CN116093211B，申...
上海华力取得金属氧化物半导体场效应管版图结构专利
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“金属氧化物半导体场效应管版图结构”的专利，授权公告号CN116207153B，申请日期为202...
半导体设备ETF易方达（159558）盘中成交金额超2.3亿，获净申购4700万份；半导体巨头英飞凌宣布涨价
截至13:24，中证半导体材料设备主题指数（931743）涨0.93%，权重股中，中微公司跌0.7%，北方华创涨1.8%，沪硅产业涨1.1%，华海清科涨0.7%...