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万磁电子申请低碳含量高性能烧结钕铁硼磁体及其制备方法专利，可有效降低磁体最终碳含量

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2026-09-13 11:04:34

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国家知识产权局信息显示，安徽万磁电子股份有限公司申请一项名为“一种低碳含量高性能烧结钕铁硼磁体及其制备方法”的专利，公开号CN122739060A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种低碳含量高性能烧结钕铁硼磁体及其制备方法，涉及稀土永磁材料技术领域，S1、按主合金成分配制Nd、Pr、Fe、B‑Fe中间合金、Co、Cu、Al、Ga、Zr及M原料，在真空或惰性气氛下熔炼后进行甩带，得到主合金薄片；S2、将所述主合金薄片进行吸氢破碎和脱氢处理，得到氢破粉；S3、将所述氢破粉在惰性气体保护下进行气流磨粉碎，得到平均粒径D50为2.6‑4.5μm的磁粉；通过低残碳润滑分散剂替代传统高残碳润滑体系，使磁粉在取向压制前仍具有较好的流动性，安息角可控制在55°以下，同时在脱附和烧结过程中残留率低，可有效降低磁体最终碳含量，减少碳化物相或含碳富集相。

天眼查资料显示，安徽万磁电子股份有限公司，成立于2003年，位于合肥市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本5931.8831万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽万磁电子股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息174条，此外企业还拥有行政许可33个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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