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长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法、电子设备”

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2026-09-11 06:50:39

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制造方法、电子设备”，专利申请号为CN202610525569.2，授权日为2026年8月28日。

专利摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、电子设备，用于解决如何提高对位线的隔离。该方法包括：提供基底，基底包括交替排布的半导体图案和第一介质层，半导体图案包括沿第二方向延伸的半导体线以及沿第二方向间隔排布且均连接半导体线的多个半导体柱，相邻第一介质层之间形成有暴露半导体线的第一沟槽；在第一沟槽中形成位线结构，位线结构包括位线和第二介质层，位线位于半导体线和第二介质层之间；去除部分第一介质层，形成沿第二方向延伸的第二沟槽；形成至少位于第二沟槽内的隔离结构，隔离结构具有沿第二方向延伸的气隙，气隙在第三方向上的尺寸大于位线在第三方向上的尺寸。如此，实现对位线的更好的隔离效果。

今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

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