长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及半导体结构的制造方法”_资讯

长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及半导体结构的制造方法”

创始人

2026-09-11 06:50:49

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及半导体结构的制造方法”，专利申请号为CN202310871387.7，授权日为2026年8月28日。

专利摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：具有相对的第一面和第二面的基底，基底内具有由第一面向第二面延伸的沟槽，沟槽包括相连通第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽与第二面之间；相互分立的第一栅极和第二栅极，第一栅极位于第一沟槽中，第二栅极位于第一沟槽中且延伸至第二沟槽中；第一半导体层，自第一面延伸至第一沟槽的内壁，且位于第一栅极朝向第一沟槽内壁的一侧，且还延伸至第二栅极电接触；第二半导体层，自第一面依次延伸至第一沟槽内壁、第二沟槽侧壁以及第二沟槽的底面，第二半导体层位于第二栅极朝向第一沟槽内壁以及第二沟槽内壁的一侧。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的性能。

今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

制造方法科技栅极沟槽信息半导体天眼结构专利内壁长鑫科技

上一篇：比亚迪获得发明专利授权：“数据交换方法、存储介质、电子设备、芯片及通信系统”

下一篇：长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法、电子设备”

长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构及半导体结构的制造方法”

相关内容

热门资讯