粤芯半导体申请硅基锗光电探测器及制作方法专利，提升材料质量与器件寿命_资讯

粤芯半导体申请硅基锗光电探测器及制作方法专利，提升材料质量与器件寿命

创始人

2026-09-08 21:38:29

0次

国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种硅基锗光电探测器及制作方法”的专利，公开号CN122719215A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种硅基锗光电探测器及制作方法，通过在硅衬底中形成五边形硅凹槽，五边形硅凹槽包括底壁、分别连接于底壁两端的两个第一倾斜侧壁，以及分别连接于两个第一倾斜侧壁远离底壁的一端的两个第二倾斜侧壁，沉积锗外延层时，五边形硅凹槽倾斜的侧壁能够引导位错沿特定晶向滑移，减少穿透位错密度，提升材料质量与器件寿命；并且，五边形硅凹槽倾斜的侧壁能够分散生长应力，降低锗外延层产生鼓包与裂纹的风险，减少漏电通道与噪声来源；同时，高宽比陷阱效应在五边形硅凹槽中更显著，位错被五边形硅凹槽的侧壁阻挡，形成无缺陷的上部锗层，提高探测器响应度与稳定性；本申请形成的硅基锗光电探测器具有极低的暗电流和极高的可靠性。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目156次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1073条，此外企业还拥有行政许可129个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资器件五边形材料导体探测器凹槽专利侧壁底壁

上一篇：共达电声：RNC传感器已实现量产，多家主流车企开展智能新能源车型配套合作

下一篇：乾照光电：股东和君正德基金拟减持不超3%股份

粤芯半导体申请硅基锗光电探测器及制作方法专利，提升材料质量与器件寿命

相关内容

热门资讯