9月8日,赛迪顾问在京发布《第四代半导体前沿技术预测预见研究》。报告指出,氧化镓、氮化铝、金刚石三大超宽禁带材料正迎来衬底大尺寸化、外延突破及器件商业化全链条加速,未来五年将从研发验证迈入规模商用,SBD上车、常关型MOSFET量产为标志性节点。
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