长飞先进半导体申请自对准工艺方法专利，提升半导体器件性能一致性与可靠性_资讯

长飞先进半导体申请自对准工艺方法专利，提升半导体器件性能一致性与可靠性

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2026-09-05 15:53:26

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“自对准工艺方法、半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN122699568A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种自对准工艺方法、半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体层；在半导体层上形成第一掩模层，第一掩模层包括第一开口和第一遮挡区；第一开口暴露半导体层的第一注入表面；第一遮挡区覆盖半导体层的第二注入表面；基于第一开口在第一注入表面形成第一区域；在第一掩模层远离半导体层一侧形成第二掩模层，第二掩模层至少覆盖第一开口；去除第一遮挡区，在第一遮挡区对应位置形成第二开口，第二开口暴露第二注入表面；基于第二开口在第二注入表面形成第二区域。实现多个注入区域在一次光刻的精确对准，降低传统多步光刻带来的套刻偏差，提升半导体器件性能一致性与可靠性。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目44次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可77个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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