山东兴华半导体取得具有深槽结构的低压TVS专利，可较大幅度缩小芯片面积及降低PN结侧面电容产品_资讯

山东兴华半导体取得具有深槽结构的低压TVS专利，可较大幅度缩小芯片面积及降低PN结侧面电容产品

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2026-09-01 13:01:24

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国家知识产权局信息显示，山东兴华半导体有限责任公司取得一项名为“一种具有深槽结构的低压TVS”的专利，授权公告号CN224710018U，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本实用新型涉及TVS的制备技术领域，具体一种具有深槽结构的低压TVS，其包括两面分别为正面电极和背面电极硅片；正面电极包括两个独立设置的分电极，每个分电极之间设有深槽结构；分电极与硅片之间设有N掺杂区域，N掺杂区域顶部及外周设有隔离层，隔离层中心位置设有引线孔，引线孔上设有金属层。本实用新型采用深槽隔离技术制备TVS,可较大幅度缩小芯片面积及降低PN结侧面电容产品，同时采用LPCVD氮化硅作为钝化层,其密度更高及防金属和钠离子污染的保护能力更强,大大提高芯片封装后的可靠性能。此外，本实用新型产品的反向漏电IR减少,PN结电容降低,温度系数及抗辐射能力均有提升。

天眼查资料显示，山东兴华半导体有限责任公司，成立于2019年，位于日照市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本20000万。通过天眼查大数据分析，山东兴华半导体有限责任公司参与招投标项目2次，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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