北方华创申请等离子体发生装置和半导体工艺设备专利，解决晶圆成膜均匀性较差的问题_资讯

北方华创申请等离子体发生装置和半导体工艺设备专利，解决晶圆成膜均匀性较差的问题

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2026-08-29 14:24:32

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国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“等离子体发生装置和半导体工艺设备”的专利，公开号CN122662004A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明公开一种等离子体发生装置和半导体工艺设备，所公开的等离子体发生装置用于向位于半导体工艺设备内的晶圆的表面吹送等离子体，所公开的等离子体发生装置包括装置本体、第一电极和第二电极，所述装置本体开设有输气通道，所述第一电极和所述第二电极均设于所述装置本体，所述输气通道环绕所述第一电极设置，所述第二电极环绕所述输气通道设置，所述装置本体开设有出口，所述出口与所述输气通道连通，用于向所述晶圆的表面吹送所述等离子体。上述方案可以解决相关技术中的半导体工艺设备在进行晶圆进行工艺时存在晶圆成膜均匀性较差的问题。

天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目1493次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息5925条，此外企业还拥有行政许可341个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业成膜输气电极投资半导体华创装置等离子体专利晶圆

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