上海集成电路制造创新中心申请紫外光电探测器专利，提升紫外光电探测器对紫外光的探测灵敏度_资讯

上海集成电路制造创新中心申请紫外光电探测器专利，提升紫外光电探测器对紫外光的探测灵敏度

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2026-08-28 20:55:01

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路制造创新中心有限公司申请一项名为“紫外光电探测器、阵列及其制备方法”的专利，公开号CN122662400A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体光电探测技术领域，提供一种紫外光电探测器、阵列及其制备方法。该紫外光电探测器包括衬底、p型有机半导体层、叉指电极和至少一层n型碳化硅外延层；至少一层n型碳化硅外延层位于衬底上；p型有机半导体层和叉指电极位于顶层的n型碳化硅外延层上；叉指电极包括沿衬底的上表面的一个延伸方向交替排列的多个第一电极指条和多个第二电极指条；相邻的第一电极指条和第二电极指条通过p型有机半导体层电连接；p型有机半导体层与n型碳化硅外延层直接接触以形成垂直p‑n异质结界面。本申请的技术方案，可以在不牺牲响应速度的前提下提升紫外光电探测器对紫外光的探测灵敏度。

天眼查资料显示，上海集成电路制造创新中心有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路制造创新中心有限公司参与招投标项目167次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息246条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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