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广能达半导体申请高效安全的EEPROM存储方法专利，存储效率高

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2026-08-25 13:23:38

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国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“一种高效安全的EEPROM存储方法、装置及介质”的专利，公开号CN122633103A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高效安全的EEPROM存储方法、装置及介质，该方法，包括：将EEPROM芯片的存储空间划分为多个独立存储区域；开机初始化阶段，对各独立存储区域执行双重数据验证，双重数据验证均通过后，将参数存储区数据载入系统缓存数组的对应存储位置，供系统调用；参数修改阶段，仅更新系统缓存数组中与目标参数对应的数据，基于更新后参数存储区的数据重新生成CRC‑16校验码，通过通用总线仅向EEPROM芯片写入参数存储区内被修改的目标参数字节及新生成的CRC‑16校验字节，不执行整区擦写操作。本发明适配各类I2C/SPI接口EEPROM芯片，存储效率高、擦写损耗低、数据安全性强，实现简单成本低。

天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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