P沟道MOS晶体管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，属于电路元件类别，其结构以n型硅衬底为基础，通过两个P+掺杂区分别构成源极和漏极。当栅极施加足够正电压时，栅极下方会形成P型反型层作为导电沟道，根据是否预置沟道可分为增强型与耗尽型两种类型。

其结构以N型硅衬底为基础，通过两个P+掺杂区分别构成源极和漏极，在源极和漏极之间的衬底表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，绝缘层之上制作金属或多晶硅电极作为栅极。

该器件由于空穴迁移率较低，在相同几何尺寸与工作电压条件下跨导小于N沟道MOS晶体管。其阈值电压绝对值较高，工作时需施加更高驱动电压，且供电电源的电压极性与双极型晶体管逻辑电路不兼容。

P沟道MOS管-DO3401B

DO3401B是一款由DOINGTER（杜因特）生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽制造工艺与设计，可实现优异的RDS(on)值及低栅极电荷特性，采用SOT-23封装，主要用于电源管理和负载开关电路。

该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有低栅极电荷和超低导通电阻的特点，能够提供出色的散热性能。它适用于电池保护电路、负载开关、电源管理模块以及便携式电子设备中的高边开关应用。其低阈值电压（Vgs(th) 约 1.2V）使其易于由低压逻辑电路直接驱动。

较大额定参数：

较大额定参数

P沟道MOS管 - DO3401B的特性：

VDS=-30V,ID=-4.2A,RDS(ON)<55mΩ@VGS=-10V

低门极电荷

符合绿色设备标准，无铅且符合RoHS规范

适用于超低RDS（导通）的先进高密度沟槽技术

卓越的封装设计，确保高效散热

核心参数：

漏源电压(Vdss)：-30V

连续漏极电流(Id)：-4.2A

导通电阻(Rds(on))：典型值40mΩ，较大值52mΩ (@Vgs=-10V)

栅极电荷(Qg)：6.2nC (@4.5V)

耗散功率(Pd)：1.2W

工作温度范围：-55℃ ~ +150℃