中车时代半导体取得碳化硅MPS二极管元胞结构专利，提升了碳化硅MPS二极管的抗浪涌能力_资讯

中车时代半导体取得碳化硅MPS二极管元胞结构专利，提升了碳化硅MPS二极管的抗浪涌能力

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2026-08-18 16:20:47

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国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司取得一项名为“碳化硅MPS二极管的元胞结构及碳化硅MPS二极管”的专利，授权公告号CN224653868U，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种碳化硅MPS二极管的元胞结构及碳化硅MPS二极管，包括：碳化硅衬底；碳化硅外延层，碳化硅外延层位于碳化硅衬底上，包括第一区域和第二区域，第一区域与键合区域对应，第二区域与非键合区域对应；多个元胞，多个元胞位于碳化硅外延层上，包括第一元胞和第二元胞；其中，第一元胞在碳化硅外延层的投影区域的部分区域为肖特基结，另一部分区域为PN结；第一区域和第二区域均包括第一元胞；第二元胞在碳化硅外延层的投影区域的全部区域为PN结；第一区域还包括第二元胞。解决了键合点附近在大的浪涌电流下容易发热导致金属融化和器件失效的问题，提升了碳化硅MPS二极管的抗浪涌能力。

天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目5830次，专利信息653条，此外企业还拥有行政许可150个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资车时代导体包括碳化硅结构专利二极管区域元胞株洲

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