星原驰半导体申请MIM电容结构及其形成方法专利，在面积受限的条件下增大电容有效表面积_资讯

星原驰半导体申请MIM电容结构及其形成方法专利，在面积受限的条件下增大电容有效表面积

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2026-08-18 16:49:47

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国家知识产权局信息显示，杭州星原驰半导体有限公司申请一项名为“MIM电容结构及其形成方法”的专利，公开号CN122602517A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种MIM电容结构，衬底上形成有多个沟槽，每个沟槽的顶部拐角与底部拐角呈圆角；多层堆叠式MIM电容结构中的多层电极层和多层绝缘层依次交叠共形沉积形成且位于沟槽内并延伸至介质层上；各电极层的投影图形重合；每层电极层电连接有一个焊盘，且奇数层的焊盘和偶数层的焊盘在第二方向上位于电极层的不同侧，各焊盘的投影互不交叠。本发明通过设置高深宽比沟槽型MIM电容结构，结合高介电常数氧化层与电极的共形沉积，充分利用沟槽侧壁表面积，打造三维结构MIM电容，在面积受限的条件下增大电容有效表面积；随着沟槽深宽比提升，获得更高的电容密度。且对沟槽轮廓做拐角圆化处理，以避免强电场导致沟槽侧壁拐角处发生击穿。

天眼查资料显示，杭州星原驰半导体有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本343.8463万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州星原驰半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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