8 月12 日消息，中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）在DDR5 内存芯片领域取得重要进展——采用17 纳米级制造工艺打造的DDR5 芯片，产出良率已达到90%。这一关键突破将大幅提升其规模化量产与出货能力，进一步缩小与美光等全球存储巨头的差距。

DDR5 是当前服务器、PC与AI 算力平台的主流内存标准，市场需求持续旺盛。过去几年，全球DRAM 市场长期被三星、SK海力士与美光三大巨头垄断，长鑫存储作为国产DRAM 的代表力量，其良率爬坡进度直接关系到国产内存的供给能力与成本竞争力。

图：长鑫存储展示的DDR5 与LPDDR5X 新品组合

工艺突破：17nm制程DDR5 良率达90%

据国内媒体报道，长鑫存储采用17 纳米级制造工艺打造DDR5 内存芯片，产出良品率已成功达到90%。良率是半导体制造的核心指标之一，90%的良率意味着产线已跨过规模化量产的关键门槛，能够以可控的成本支撑大批量出货，为下游模组厂与整机厂提供稳定的供应保障。

产业意义：缩小与国际巨头的差距

长鑫存储在DDR5 上的良率突破，被视为国产存储追赶国际先进水平的重要节点。此前国产内存主要集中在DDR4 及以下规格，DDR5良率爬坡成功后，长鑫存储有望切入服务器、AI训练等高端市场，缓解高端内存依赖进口的局面。业内分析认为，随着产能释放，国产DDR5 将在价格与供应稳定性上逐步形成竞争力。

市场背景：AI浪潮推高内存需求

当前生成式AI 的爆发带动了HBM 与DDR5 的需求激增，全球内存价格在2026 年持续上行，也促使下游厂商寻求更多供应来源。长鑫存储扩大DDR5 出货，既是对市场需求的响应，也有望在供应紧张周期中占据更有利的位置。

展望：国产存储进入加速期

良率达标只是起点，后续长鑫存储还需在更高规格产品、先进工艺迭代以及高端市场验证上持续发力。随着17nm DDR5 产线逐步满载，国产内存有望在消费级与服务器级市场同步放量，为国内半导体产业链的自主可控提供更坚实的支撑。