京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，反射层覆盖外延结构、透明导电层和一次电极_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，反射层覆盖外延结构、透明导电层和一次电极

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2026-08-04 08:02:43

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号CN122497172A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构、透明导电层、一次电极、反射层和二次电极；外延结构具有凹槽，一次电极位于凹槽底部，透明导电层位于外延结构的表面上，反射层覆盖外延结构、透明导电层和一次电极，二次电极穿过反射层，二次电极包括与透明导电层表面直接接触的部分以及与一次电极直接接触的部分。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目52次，专利信息1087条，此外企业还拥有行政许可45个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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