来源:新浪证券-红岸工作室
7月25日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司、扬州杰冠微电子有限公司申请一项名为“一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法”的专利。申请公布号为CN122458456A,申请号为CN202610748281.1,申请公布日期为2026年7月24日,申请日期为2026年5月28日,发明人王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师郭翔,分类号H10D30/63、H10D30/01、H10D62/10、H10W42/60。
专利摘要显示,一种具有 ESD 保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法。涉及碳化硅半导体功率器件技术领域。包括从下而上依次设置的漏极金属层、N+衬底、N‑外延层、P基区、N+区、第二隔离介质层和源极金属层;所述N‑外延层的第一区域设有从所述N+区侧部延伸至所述P基区内的P+区和从所述N+区侧部延伸至所述N‑外延层内的栅氧区;所述P+区、N+区和栅氧区形成器件有源区;所述N‑外延层的第二区域上设有ESD模块;所述ESD模块包括从所述N+区侧部延伸至N‑外延层内的SiC多晶填充层和包裹与所述SiC多晶填充层侧部与底部的第一隔离介质层;本发明有效阻断高压下的漏电通道,使器件的高压击穿电压提升10%~20%,静态功耗降低 30% 以上。
扬杰科技是国内功率半导体领域领先企业,主营功率半导体全产业链相关产品,具备深厚技术壁垒与产业布局优势。公司成立于2006年8月2日,2014年1月23日在深圳证券交易所上市,注册地与办公地均位于江苏省扬州市。
扬杰科技主营业务集研发、生产、销售于一体,聚焦功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域,所属申万行业为电子-半导体-分立器件,同时覆盖半导体产业、半导体、汽车芯片等热门概念板块。
2025年扬杰科技实现营业收入71.3亿元,在18家同行业可比公司中排名第3,仅次于*ST闻泰的312.53亿元与士兰微的130.52亿元,大幅高于39.84亿元的行业平均营收与13亿元的行业营收中位数;营收结构中半导体器件贡献62.57亿元,占比87.75%,半导体芯片贡献5.34亿元占比7.49%,其余营收来自其他补充业务及半导体硅片板块。同期公司实现净利润12.45亿元,位列18家同行业公司首位,远超第二名捷捷微电的4.76亿元,显著优于行业-3.38亿元的平均净利润水平与5933.85万元的行业净利润中位数,盈利表现领跑赛道。
| 营收构成项目 | 营收金额(亿元) | 营收占比 |
|---|---|---|
| 半导体器件 | 62.57 | 87.75% |
| 半导体芯片 | 5.34 | 7.49% |
| 其他(补充) | 1.72 | 2.41% |
| 半导体硅片 | 1.67 | 2.35% |
扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种垂直互连双面DBC铜柱整流桥封装结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610769096.0 | 2026-05-31 | CN122458814A | 2026-07-24 | 李佳欣、姚文康、王双、陈润生、王毅 |
| 2 | 一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610748277.5 | 2026-05-28 | CN122421408A | 2026-07-17 | 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅 |
| 3 | 一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610748281.1 | 2026-05-28 | CN122458456A | 2026-07-24 | 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅 |
| 4 | 一种低寄生电感功率二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610593818.1 | 2026-04-30 | CN122340830A | 2026-07-03 | 熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅 |
| 5 | 一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610585288.6 | 2026-04-29 | CN122396337A | 2026-07-14 | 柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅 |
| 6 | 一种高功率密度三极管及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610535598.7 | 2026-04-22 | CN122395972A | 2026-07-14 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 7 | 一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610412210.4 | 2026-03-31 | CN122138725A | 2026-06-02 | 熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅 |
| 8 | 一种高功率密度TVS二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610415630.8 | 2026-03-31 | CN122269779A | 2026-06-23 | 熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅 |
| 9 | 一种Power DFN框架、封装体及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610286131.3 | 2026-03-10 | CN121985840A | 2026-05-05 | 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅 |
| 10 | 一种三相半控整流桥复合封装及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511981365.1 | 2025-12-25 | CN121604824A | 2026-03-03 | 张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅 |
| 11 | 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511950595.1 | 2025-12-23 | CN121729076A | 2026-03-24 | 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅 |
| 12 | 一种光伏旁路二极管模块加工工艺 | 发明专利 | 公布 | CN202511930765.X | 2025-12-19 | CN121693132A | 2026-03-17 | 司天平、景昌忠、陈润生、王毅 |
| 13 | 一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511911493.9 | 2025-12-17 | CN121699615A | 2026-03-20 | 李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅 |
| 14 | 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511407480.8 | 2025-09-29 | CN120980899A | 2025-11-18 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 15 | 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511407472.3 | 2025-09-29 | CN121152230A | 2025-12-16 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 16 | 一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511407464.9 | 2025-09-29 | CN121240474A | 2025-12-30 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 17 | 一种高功率密度三极管及制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布 | CN202511209188.5 | 2025-08-27 | CN120857527A | 2025-10-28 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 18 | 一种高集电极电流三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207926.2 | 2025-08-27 | CN120916450A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 19 | 一种高EAS能力的三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511208008.1 | 2025-08-27 | CN120916452A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 20 | 一种高频和高增益三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207991.5 | 2025-08-27 | CN120916451A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 21 | 一种高电流密度三极管及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207877.2 | 2025-08-27 | CN121057236A | 2025-12-02 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 22 | 一种提高工作频率和增益系数的三极管 | 实用新型 | 授权 | CN202521832202.2 | 2025-08-27 | CN224538634U | 2026-07-21 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 23 | 一种小型短引脚整流桥 | 实用新型 | 授权 | CN202521835452.1 | 2025-08-27 | CN224556281U | 2026-07-24 | 聂磊、王双、姚文康、陈润生、王毅 |
| 24 | 一种便捷式旁路保护器件的加工方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511154480.1 | 2025-08-18 | CN121017690A | 2025-11-28 | 李广源、梁欣源、陈润生、王毅 |
| 25 | 光伏旁路器件 | 实用新型 | 授权 | CN202521754537.7 | 2025-08-18 | CN224459747U | 2026-07-03 | 李广源、梁欣源、陈润生、王毅 |
| 26 | 一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511145062.6 | 2025-08-15 | CN121011539A | 2025-11-25 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 27 | 二极管擦字装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740722.0 | 2025-08-15 | CN224296845U | 2026-05-29 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 28 | 二极管上料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740725.4 | 2025-08-15 | CN224449345U | 2026-07-03 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 29 | 二极管收料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740719.9 | 2025-08-15 | CN224449543U | 2026-07-03 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 30 | 一种SIC基半导体器件封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202521620095.7 | 2025-07-31 | CN224556273U | 2026-07-24 | 熊鹏程、徐雅超、王毅、王正 |
| 31 | 一种新型二极管金属线键合塑封一体机 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510879767.4 | 2025-06-27 | CN120690730A | 2025-09-23 | 耿印、王毅 |
| 32 | 一种半导体塑封模具异物检测机构及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510842518.8 | 2025-06-23 | CN120645350A | 2025-09-16 | 刁卫斌、王毅 |
| 33 | 一种二极管外观检测装置及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510826492.8 | 2025-06-19 | CN120539278A | 2025-08-26 | 耿印、王毅 |
| 34 | 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510793665.0 | 2025-06-13 | CN120637356A | 2025-09-12 | 代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅 |
| 35 | 一种抑制塑封分层的全包封框架及封装 | 实用新型 | 授权 | CN202521215415.0 | 2025-06-13 | CN224460572U | 2026-07-03 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 36 | 提升绝缘耐压能力的整流桥堆 | 实用新型 | 授权 | CN202521114013.1 | 2025-05-30 | CN224205650U | 2026-05-05 | 邱力宸、王毅 |
| 37 | 多引脚散热桥堆 | 实用新型 | 授权 | CN202521104107.0 | 2025-05-30 | CN224205649U | 2026-05-05 | 姚文康、王双、吕强、王毅 |
| 38 | 一种高效组装散热型整流桥 | 实用新型 | 授权 | CN202521104109.X | 2025-05-30 | CN224482060U | 2026-07-10 | 王双、王毅 |
| 39 | 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510613311.3 | 2025-05-13 | CN120417408A | 2025-08-01 | 龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅 |
| 40 | 单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510148616.1 | 2025-02-11 | CN119704417A | 2025-03-28 | 王鑫、王毅 |
| 41 | 一种FRED半导体器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510126905.1 | 2025-01-27 | CN119947137A | 2025-05-06 | 崔龙、王毅 |
| 42 | 一种横向IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996035.5 | 2024-12-31 | CN119730275A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 43 | 一种横向平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996030.2 | 2024-12-31 | CN119730274A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 44 | 一种横向RC-IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996027.0 | 2024-12-31 | CN119730273A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 45 | 一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996043.X | 2024-12-31 | CN119730277A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 46 | 一种自带续流能力的IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996042.5 | 2024-12-31 | CN119730276A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 47 | 自动防卡料管装上料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423295438.5 | 2024-12-31 | CN223547013U | 2025-11-14 | 李伟贞、殷宪虎、王毅 |
| 48 | 整流桥周转管打塞装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423295423.9 | 2024-12-31 | CN223574783U | 2025-11-21 | 张杰、徐俊、殷宪虎、王毅 |
| 49 | 整流桥平整度检测装置 | 实用新型 | 授权 | CN202423266959.8 | 2024-12-30 | CN223551060U | 2025-11-14 | 雍鑫、徐俊、王毅 |
| 50 | 框架镜像检测平台 | 实用新型 | 授权 | CN202423266953.0 | 2024-12-30 | CN223711466U | 2025-12-23 | 沈青青、徐俊、王毅 |
天眼查数据显示,扬州杰冠微电子有限公司成立日期2022年12月14日,法定代表人梁勤,所属行业为其他制造业,企业规模为小型,注册资本50000万人民币,实缴资本50000万人民币,注册地址为扬州市邗江区汽车产业园新甘泉东路56号。扬州杰冠微电子有限公司共对外投资了0家企业,参与招投标项目9次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息16条,拥有行政许可13个。
扬州杰冠微电子有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610748277.5 | 2026-05-28 | CN122421408A | 2026-07-17 | 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅 |
| 2 | 一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610748281.1 | 2026-05-28 | CN122458456A | 2026-07-24 | 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅 |
| 3 | 一种兼具低导通电阻与低热阻的SiC功率器件及制备工艺 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610138923.6 | 2026-01-31 | CN121751716A | 2026-03-27 | 邱英强、杨亚峰、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 4 | 一种低反向恢复损耗的SiC MPS芯片及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511578256.5 | 2025-10-31 | CN121419264A | 2026-01-27 | 王正、杨程、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 5 | 提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的碳化硅MOSFET器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411983531.7 | 2024-12-31 | CN119730288A | 2025-03-28 | 王亚男、王正、王毅 |
| 6 | 一种高栅氧强度的场效应晶体管器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411983834.9 | 2024-12-31 | CN119730289A | 2025-03-28 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 7 | 一种碳化硅MOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423299997.3 | 2024-12-31 | CN223666687U | 2025-12-12 | 王亚男、王正、王毅 |
| 8 | 一种更高栅极保护作用的MOS器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423295448.9 | 2024-12-31 | CN223694219U | 2025-12-19 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 9 | 一种提升沟槽形貌的碳化硅MOS器件制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411899265.X | 2024-12-23 | CN119604011A | 2025-03-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 10 | 一种深梯形P型结的碳化硅场效应晶体管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411899258.X | 2024-12-23 | CN119603988A | 2025-03-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 11 | 一种十字形碳化硅器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411899253.7 | 2024-12-23 | CN119604009A | 2025-03-11 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 12 | 一种改善开关损耗的SiCMOSFET器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411899237.8 | 2024-12-23 | CN119604014A | 2025-03-11 | 朱秀梅、杨程、裘俊庆、王毅 |
| 13 | 一种元胞布局器件 | 实用新型 | 授权 | CN202423172876.2 | 2024-12-23 | CN223613742U | 2025-11-28 | 王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅 |
| 14 | 一种集成反向续流二极管的沟槽SiCMOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411688804.5 | 2024-11-25 | CN119325249A | 2025-01-17 | 朱秀梅、杨程、裘俊庆、王毅 |
| 15 | 减少双极退化风险的SiCMOSFET器件 | 实用新型 | 授权 | CN202422868330.4 | 2024-11-25 | CN223503286U | 2025-10-31 | 朱秀梅、杨程、裘俊庆、王毅 |
| 16 | 沟槽型碳化硅JBS二极管器件 | 实用新型 | 专利申请权、专利权的转移、授权 | CN202322893078.8 | 2023-10-27 | CN221176231U | 2024-06-18 | 王坤、杨程、万胜堂、王正、陈鸿骏、赵耀、王毅 |