华虹宏力申请晶圆缺陷判断方法专利，可判断芯片组合与单个芯片的缺陷是否相同_资讯

华虹宏力申请晶圆缺陷判断方法专利，可判断芯片组合与单个芯片的缺陷是否相同

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2026-07-25 14:18:48

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“晶圆缺陷的判断方法”的专利，公开号CN122458758A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种晶圆缺陷的判断方法，包括：将在晶圆上的单个芯片划分为芯片组合；分别获取芯片组合以及芯片组合中单个芯片的全局偏移量；根据芯片组合的全局偏移量和缺陷在芯片组合中的局部坐标获取缺陷在芯片组合中的全局坐标；根据单个芯片的全局偏移量和缺陷在单个芯片中的局部坐标获取缺陷在单个芯片中的全局坐标；根据缺陷在芯片组合中的全局坐标获取缺陷在芯片组合的径向距离和极角；根据缺陷在单个芯片中的全局坐标获取缺陷在单个芯片的径向距离和极角；分别判断缺陷在芯片组合和单个芯片中的径向距离的相对误差以及缺陷在芯片组合和单个芯片的极角的偏差是否均在阈值内，如果均在，则认为芯片组合的缺陷与单个芯片的缺陷相同。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目922次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7883条，此外企业还拥有行政许可461个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法全局缺陷投资芯片组合导体坐标专利径向移量极角

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