芯联集成获得发明专利授权：“半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件”_资讯

芯联集成获得发明专利授权：“半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件”

创始人

2026-07-23 05:15:27

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件”，专利申请号为CN202610603325.1，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件，其中方法包括：提供半导体材料层；执行第一刻蚀工序，以同步形成第一插塞预留孔和第一浅沟槽；执行第二刻蚀工序，以同步形成栅极沟槽和第一深沟槽；在半导体材料层上形成第一介质层，第一介质层覆盖栅极沟槽和第一深沟槽的内壁且填满第一插塞预留孔；在栅极沟槽内形成栅极结构，在第一深沟槽内形成深沟槽隔离结构，以及在栅极沟槽旁的半导体材料层内形成体区，并在体区内形成源极区，第一插塞预留孔贯穿源极区且深入至体区内；在半导体材料层上形成第二介质层；执行第三刻蚀工序，以同步形成第一插塞孔和第二插塞孔；如此，减少了工艺步骤，缩短了生产周期，降低了制造成本。

今年以来芯联集成新获得专利授权49个，较去年同期增加了36.11%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了18.38亿元，同比减0.2%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目1754次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息848条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

方法栅极沟槽信息器件半导体材料天眼集成专利栅极沟槽深沟槽芯联介质层

上一篇：002156，千亿半导体巨头涨停！

下一篇：微成半导体取得用于晶圆的药液收集装置专利，操作较为简单且节省使用成本

芯联集成获得发明专利授权：“半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件”

相关内容

热门资讯