华为申请芯片电容器及其制作方法专利，解决深槽电容容值密度极限问题_资讯

华为申请芯片电容器及其制作方法专利，解决深槽电容容值密度极限问题

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2026-07-11 02:46:34

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“芯片、电子设备、电容器及其制作方法”的专利，公开号CN122373370A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种芯片、电子设备、电容器及其制作方法，涉及电容技术领域，解决了深槽电容所开设孔的孔径比在达到极限时会导致出现容值密度极限的问题。电容器包括基底、多层导电层、多层介质层、以及间隔设置在第一侧的至少两个接触孔。多层导电层和多层介质层依次交错层叠设置在基底的第一侧。至少一个接触孔从最顶层的导电层贯穿中间或最底层的导电层设置，剩余接触孔设置在最顶层的导电层远离基底的一侧。至少两个接触孔与多层导电层中所贯穿或所设置的导电层连接。至少一个接触孔与所贯穿的至少两层导电层均连接。最顶层的导电层为多层导电层中最远离基底的一层导电层。最底层的导电层为多层导电层中最靠近基底的一层导电层。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4114113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目43423次，财产线索方面有商标信息14511条，专利信息127082条，此外企业还拥有行政许可1730个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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