优尼山帝斯电子申请使用半导体元件的半导体内存装置专利，通过操作各者的电压使FX-RAM的内存动作进行_资讯

优尼山帝斯电子申请使用半导体元件的半导体内存装置专利，通过操作各者的电压使FX-RAM的内存动作进行

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2026-07-07 16:08:19

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国家知识产权局信息显示，新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司申请一项名为“使用半导体元件的半导体内存装置”的专利，公开号CN122349216A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，使用半导体元件的半导体内存装置中，具有与基板分离且相对于基板沿水平方向伸延的p层，以第一栅极绝缘层包覆p层的一部分，具有覆盖栅极绝缘层的一部分的第一栅极导体层，具有与栅极绝缘层分离且覆盖p层的一部分的第二栅极绝缘层，具有覆盖栅极绝缘层的一部分的第二栅极导体层，在被栅极导体层和栅极导体层包夹的p层的一部分的部分具有属于第一杂质层的n+层和属于第二杂质层的n+层，栅极导体层作为栅极而发挥功能，n+层、n+层的一者作为源极、另一者作为汲极而发挥功能，以进行MOSFET操作，且在第一杂质层连接位元线、在第二杂质层连接源极线、在第一栅极导体层连接字符线、在第二栅极导体层连接板线，通过操作各者的电压使FX-RAM的内存动作进行。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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