京东方申请发光二极管及其制备方法专利，避免了不同柱状结构中活性层的短路_资讯

京东方申请发光二极管及其制备方法专利，避免了不同柱状结构中活性层的短路

创始人

2026-05-28 15:27:53

0次

国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法、发光面板和显示装置”的专利，公开号CN122094259A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种发光二极管及其制备方法、发光面板和显示装置。发光二极管包括：第一半导体层；多个彼此分离的柱状结构，且位于第一半导体层的一侧，柱状结构至少包括依次叠层设置的活性层、第二半导体层和辅助电极层，相邻的柱状结构之间设置有沟槽；介电层，位于任意两个柱状结构之间，介电层的背离第一半导体层一侧的表面与第一半导体层的距离大于活性层的背离第一半导体层一侧的表面与第一半导体层的距离；第一电极，且位于介电层和柱状结构的背离第一半导体层的一侧，各柱状结构中的辅助电极层通过第一电极相互耦接；第二电极，与第一半导体层耦接。本公开，避免了不同柱状结构中活性层的短路，提高了产品良率。

天眼查资料显示，京东方科技集团股份有限公司，成立于1993年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3741388.0464万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方科技集团股份有限公司共对外投资了73家企业，参与招投标项目341次，财产线索方面有商标信息788条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可47个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示电极投资结构中半导体京东方专利背离导体层柱状介电层半导体层二极管

上一篇：三安光电取得发光二极管专利

下一篇：航天电器中标：继电器采购项目GZHT26-5-14成交公告

京东方申请发光二极管及其制备方法专利，避免了不同柱状结构中活性层的短路

相关内容

热门资讯