北京集成电路装备创新中心申请全环绕栅极动态存储器专利，使得其性能更佳_资讯

北京集成电路装备创新中心申请全环绕栅极动态存储器专利，使得其性能更佳

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2026-05-27 20:20:31

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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“全环绕栅极动态存储器及其工艺方法、半导体工艺设备”的专利，公开号CN122094105A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种全环绕栅极动态存储器及其工艺方法、半导体工艺设备。全环绕栅极动态存储器的工艺方法包括：利用外延工艺，在硅衬底上生长牺牲层，在牺牲层上生长硅层；形成浅沟槽，向浅沟槽内填充绝缘层，以形成有源区；其中，浅沟槽贯穿于牺牲层且止于牺牲层的下方部位；形成字线沟槽；其中，位于硅层中的字线沟槽止于牺牲层的上方部位，位于绝缘层中的字线沟槽止于牺牲层的下方部位且未贯穿绝缘层；去除牺牲层，形成全环绕栅极。本发明提供的全环绕栅极动态存储器及其工艺方法、半导体工艺设备，通过将动态存储器中的栅极结构设置为全环绕栅极结构，使得其性能更佳，功耗更低，且存储密度更大。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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