南亚科技申请电容结构及其制造方法专利，界面层成分与绝缘层和顶部电极元素相同_资讯

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2026-05-27 00:58:52

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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“电容结构及其制造方法”的专利，公开号CN122094103A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种电容结构及其制造方法。电容结构包括底部电极、绝缘层、顶部电极和界面层。绝缘层设置在底部电极上。顶部电极设置在绝缘层上。界面层设置在绝缘层和顶部电极之间。界面层的成分具有至少一个元素与绝缘层包含的元素相同，并具有至少一个元素与顶部电极包含的元素相同。

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来源：市场资讯

显示电极投资界面南亚成分电容绝缘层结构专利界面层

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