南亚科技申请半导体结构的制造方法专利，可有效降低离散通孔区与密集通孔区之间的高度差
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2026-04-13 16:06:22
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN121843513A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，半导体结构的制造方法包括：在基板上形成介电层，其中介电层包括离散通孔区域与密集通孔区域，且离散通孔区域及密集通孔区域各自包括多个通孔；在通孔的各者的底部区域形成增塑剂；在介电层上及通孔内形成光阻层，其中光阻层接触增塑剂；以及加热光阻层及增塑剂，使光阻层与增塑剂相互作用并在光阻层中形成膨胀部分。所述制造可有效降低离散通孔区与密集通孔区之间的高度差，以增强工艺均匀性、提高良率，并扩大先进半导体元件制造的光刻工艺窗口。
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来源：市场资讯
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