上海传芯半导体申请EUV掩模板及其制造方法专利,能够有效保证EUV掩模板的产品性能
创始人
2026-04-13 16:01:03
0

国家知识产权局信息显示,上海传芯半导体有限公司申请一项名为“EUV掩模板及其制造方法”的专利,公开号CN121843498A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,一种EUV掩模板及其制造方法,该方法包括以下步骤:提供透明基板;在透明基板的一侧表面上沉积钼硅交替层,形成反射膜;在反射膜上沉积保护层,保护层由钌元素形成;对保护层和反射膜进行图案化的钼/硅聚焦离子束扫描,使保护层中的钌原子、反射膜中部分钼层中的钼原子,及聚焦离子束中的钼离子或硅离子移动到被扫描的区域内的对应硅层中,形成图案化的吸收层,图案化的吸收层由包含钌元素的钼硅化物形成;在透明基板的另一侧表面沉积背面导电层,形成EUV掩模板。本发明能够有效提高EUV掩模板的生产效率,利于节约EUV掩模板的制造成本,且能够有效保证EUV掩模板的产品性能。相应地,本发明还提供一种EUV掩模板。

天眼查资料显示,上海传芯半导体有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本9376.6144万人民币。通过天眼查大数据分析,上海传芯半导体有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目5次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息129条,此外企业还拥有行政许可17个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

相关内容

热门资讯

流浪猫鼻子嵌入钢珠,疑遭人恶意... 编校 | 刘倩 审核 | 李芸 审发 | 石昌晗
科泰电源:4月10日融资买入3... 证券之星消息,4月10日,科泰电源(300153)融资买入3688.83万元,融资偿还4808.91...
原创 光... 作为国内光储行业龙头的阳光电源(300274),曾凭借光伏逆变器与储能系统的双重优势,头顶“全球光储...
2026年 MOS管厂家实力:... 2026年 MOS管厂家实力推荐:低压/中高压/SGT/SIC全系列MOS管,精选优质品牌助力电子制...
雷击防爆型等电位连接器应用场景 雷击防爆型等电位连接器专为 “易燃易爆+雷电风险+金属管道/设备”场景设计,核心适配需同时满足“防雷...
格至控申请车辆及其控制方法、控... 国家知识产权局信息显示,格至控智能动力科技(上海)有限公司申请一项名为“车辆及其控制方法、控制装置”...
中南电力设计院申请输电线路杆塔... 国家知识产权局信息显示,中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司申请一项名为“一种用于输电线路杆塔...
2026年200kw三相稳压器... 一、2026年200kw三相稳压器市场整体报价概况 1.2026年工业制造、新能源并网、海外基建等领...
南亚科技申请半导体结构的制造方... 国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利,公开号CN1...
上海传芯半导体申请EUV掩模板... 国家知识产权局信息显示,上海传芯半导体有限公司申请一项名为“EUV掩模板及其制造方法”的专利,公开号...