消息面上，长鑫存储计划明年量产12层HBM，打破市场对国产存储迭代慢的线性外推。在海外三大厂2026年HBM产能全面售罄、国内日均Token调用量突破140万亿的供需极度错配下，长鑫2026年将20%的DRAM产能（约6万片/月）切入HBM，以规模换良率，将中韩技术代差缩至3年以内。

机构认为，此举确立了国内HBM核心供给锚点，大幅缓解国产AI芯片显存卡脖子问题，重塑了远期竞争格局。伴随国内存储双雄2026年合计扩产10-12万片/月、总资本开支达155-180亿美元的落地，投资全面倒向HBM与先进工艺，直接驱动上游先进封装、特种气体及高端塑封料等核心供应商从测试验证全面迈入业绩兑现期，半导体设备厂商有望受益于存储厂扩产及巨额资本开支落地。

截至2026年4月9日 10:47，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)强势上涨2.50%，成分股新益昌上涨7.53%，中船特气上涨6.76%，中科飞测上涨6.73%，拓荆科技，和林微纳等个股跟涨。科创半导体设备ETF鹏华(589020)上涨2.19%， 冲击4连涨。最新价报1.4元。

科创半导体设备ETF鹏华紧密跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，上证科创板半导体材料设备主题指数选取科创板内业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板半导体材料和设备上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年3月31日，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)前十大权重股分别为拓荆科技、华海清科、中微公司、中科飞测、安集科技、沪硅产业、芯源微、华峰测控、天岳先进、富创精密，前十大权重股合计占比74.31%。

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