新微半导体申请半导体结构及制备方法专利，避免二维电子气在漏极的强电场的作用下被注入缓冲层并被缓冲层的陷阱捕获_资讯

新微半导体申请半导体结构及制备方法专利，避免二维电子气在漏极的强电场的作用下被注入缓冲层并被缓冲层的陷阱捕获

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2026-04-08 18:50:06

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国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121815704A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，包括：衬底；缓冲层位于衬底上，用于促进P型阻挡层、沟道层的晶体生长，优化晶体形态，P型阻挡层位于缓冲层上，沟道层位于P型阻挡层上，势垒层位于沟道层上，其中，沟道层中具备二维电子气，P型阻挡层于沟道层、缓冲层之间形成一预设势垒，预设势垒用于阻挡沟道层中的二维电子气迁移至缓冲层中，避免二维电子气在漏极的强电场的作用下被注入缓冲层并被缓冲层的陷阱捕获，导致在器件由关态转为开态的过程中沟道层内的二维电子气的浓度降低，进而降低了动态导通电阻。P型阻挡层的厚度大于0纳米且小于或等于100纳米，P型阻挡层的厚度较小，避免P型掺杂离子过多扩散至沟道层或缓冲层中。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目846次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息148条，此外企业还拥有行政许可98个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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