国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“平坦化导电插塞的方法”的专利,公开号CN121756225A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本申请提供一种平坦化导电插塞的方法,首先对金属材料层进行主研磨处理,然后对研磨垫、第一半导体结构分别进行过渡冲洗,接着对层间介质层进行精细研磨处理,随后采用去离子水对研磨垫进行冲洗,接着采用酸性研磨液对第二半导体结构进行冲洗,以在导电金属表面形成钝化层,最后采用去离子水对第二半导体结构进行终洗。本申请在精细研磨处理之后,以及在对研磨垫进行去离子水冲洗和对第二半导体结构进行去离子水终洗之间,采用酸性研磨液对第二半导体结构进行冲洗,可以保证研磨垫上始终有研磨液残留,从而使得导电插塞表面的钝化层始终存在,从而达到保护导电插塞不被腐蚀损坏或划伤的目的,使得后续晶圆接受测试不受影响,提高器件可靠性。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2941次,专利信息1981条,此外企业还拥有行政许可117个。
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来源:市场资讯