国家知识产权局信息显示,哈尔滨工业大学;重庆胜普电子有限公司申请一项名为“一种基于弥散颗粒的自修复集成电路及其制备方法”的专利,公开号CN121752095A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明涉及集成电路芯片封装技术领域,特别涉及一种基于弥散颗粒的自修复集成电路及其制备方法,所述基于弥散颗粒的自修复集成电路,电路的焊点包括一种核壳结构的颗粒,颗粒在焊点中弥散分布;核壳结构由低熔点钎料微球与包覆金属构成;自修复钎料能够与焊点材料发生冶金反应,生成熔点高于自修复钎料的复合钎料;包覆金属覆盖在自修复钎料表面,熔点高于自修复钎料;焊点产生裂纹时,自修复钎料熔化并填充到裂纹中,确保自修复集成电路的电学功能完整;本申请采用弥散在焊点中核壳结构颗粒的设计,可以应对多种焊点裂隙,其制备方法兼容现有技术中常规的电子装联工艺,成本较低且便于实现,易于推广。
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