英特尔申请高性能静态随机存取存储器专利，允许对位线组的独立预充电
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2026-03-27 19:09:22
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“高性能静态随机存取存储器”的专利，公开号CN121747649A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本文的实施例涉及高性能静态随机存取存储器(SRAM)，其中一列单元包括第一组和第二组位线。还提供第一和第二预充电电路以允许对位线组的独立预充电，例如，用于写入或读取操作。对于读取操作，用于该列的感测电路通过复用器耦合到其中一组位线。SRAM可以使用互补型场效应晶体管(CFET)技术实现，其中n型和p型晶体管在堆叠配置中分别布置在堆叠的顶层和底层。此外，第一组和第二组位线可以分别设置在堆叠的顶部和底部金属层中。在另一方案中，使用中间金属层提供第三组位线。
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