晶合集成申请一种半导体结构及其制备方法专利，以增大接触面积_资讯

晶合集成申请一种半导体结构及其制备方法专利，以增大接触面积

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2026-03-27 11:18:39

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121752050A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一介质层，所述第一介质层中设置有导电层；第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层中具有第一导电结构，所述第一导电结构与所述第一介质层中的导电层电连接；以及第三介质层，位于所述第二介质层上，所述第三介质层中具有第二导电结构，所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接；其中，所述第一导电结构包括相互连接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分之上，所述第一部分的顶部开口尺寸小于其底部开口尺寸，且所述第一部分的侧壁倾斜；所述第二导电结构与所述第一部分的顶部表面和侧壁接触，以增大接触面积。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目635次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1574条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法导电投资介质集成导体晶合结构专利侧壁半导体介质层导电层

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