长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储系统专利，半导体柱与连接层的刻蚀选择比大于1
创始人
2026-03-26 16:34:27
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN121728765A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括位线、连接层、半导体柱和栅极结构，位线沿第一方向延伸，连接层沿第二方向位于位线的一侧并沿位线的延伸方向延伸，半导体柱沿第二方向位于连接层背离位线的一侧，栅极结构沿第一方向位于半导体柱的一侧，半导体柱与连接层的刻蚀选择比大于1，第一方向与第二方向相交。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1431次，财产线索方面有商标信息975条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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来源：市场资讯
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