尚阳通科技申请场效应晶体管专利，实现不同禁带宽度材料的JFET和MOSFET的级联和集成肖特基二极管_资讯

尚阳通科技申请场效应晶体管专利，实现不同禁带宽度材料的JFET和MOSFET的级联和集成肖特基二极管

创始人

2026-03-26 16:15:55

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国家知识产权局信息显示，深圳尚阳通科技股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管”的专利，公开号CN121728822A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种场效应晶体管，第一JFET和第二MOSFET分别形成于禁带宽度不同的第一和第二外延层中。第一JFET的第一栅极区包括多个平行排列的第一埋层，各第一埋层之间为第一沟道区。第一源区和漏区分别形成第一外延层的顶部表面和背面。在各第一埋层的选定区域的顶部表面上形成有第二埋层；第二外延层包括平行的第一和第二区域。第二MOSFET形成于第一区域中，在第一源区的顶部表面形成有浮空金属埋层并连接到第二漏区。第二区域跨越第二埋层和第二埋层之间的第一外延层；在第二区域中，在第二埋层的顶部表面之上形成有JFET栅引出区，在JFET栅引出区之间表面形成有肖特基接触合金。本发明能实现不同禁带宽度材料的JFET和MOSFET的级联和集成肖特基二极管。

天眼查资料显示，深圳尚阳通科技股份有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5107.3257万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳尚阳通科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息171条，此外企业还拥有行政许可20个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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