京东方华灿光电申请具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法专利，能够有效的提高发光二极管的发光效率_资讯

京东方华灿光电申请具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法专利，能够有效的提高发光二极管的发光效率

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2026-03-26 16:16:53

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121728880A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该制备方法包括：制备N型GaN层；在N型GaN层的一面制备有源层；在有源层的一面制备第一P型GaN层，第一P型GaN层包括依次制备的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层的制备温度小于第二子层的制备温度和第三子层的制备温度，第二子层的制备温度大于第三子层的制备温度。本公开能够有效的提高发光二极管的发光效率。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目29次，专利信息97条，此外企业还拥有行政许可111个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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