南亚科技取得具有气隙的半导体元件结构专利_资讯

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2026-03-25 04:50:29

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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司取得一项名为“具有气隙的半导体元件结构”的专利，授权公告号CN119545785B，申请日期为2023年11月。

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来源：市场资讯

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