晶合集成取得半导体测试结构专利，提升半导体测试结构的良率和稳定性_资讯

晶合集成取得半导体测试结构专利，提升半导体测试结构的良率和稳定性

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2026-03-25 04:43:10

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“半导体测试结构”的专利，授权公告号CN224037816U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体测试结构，包括多个伪栅和呈二维阵列排布的多个测试单元，且相邻两个测试单元间隔设置，所述测试单元包括位于衬底内的有源区以及位于所述有源区上的栅极；多个伪栅位于所述衬底上，且所述伪栅设置于沿第一方向相邻的两个所述测试单元的所述栅极之间，其中，所述栅极的延伸方向为第二方向，且所述第一方向和所述第二方向相互垂直。本申请通过设置相互间隔且呈二维阵列排布的多个测试单元，并于沿第一方向相邻的两个所述测试单元的栅极之间设置多个伪栅，减小了半导体测试结构内的栅极面积和栅极密度，从而降低后续进行的平坦化处理过程中由于过磨导致的栅极高度过低的风险，进而提升半导体测试结构的良率和稳定性。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目635次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1570条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业栅极投资良率和单元测试导体晶合结构专利有源区半导体二维阵列

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