美光科技申请存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法专利，绝缘体材料在竖直横截面中具有横向外线性直表面_资讯

美光科技申请存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法专利，绝缘体材料在竖直横截面中具有横向外线性直表面

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2026-03-25 03:41:14

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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN121728773A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，公开了存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括竖直交替的绝缘层级与存储器单元层级。所述存储器单元层级中的存储器单元个别地包括水平晶体管、在所述水平晶体管的电容器侧上的电容器，及在所述水平晶体管的数字线侧上的数字线的部分。绝缘体材料从水平地在下存储器单元层级中的顶部栅极的所述电容器侧旁边延伸穿过介于上存储器单元层级与下存储器单元层级之间的所述绝缘层级到水平地在所述上存储器单元层级中的底部栅极的所述电容器侧旁边。在所述上存储器单元层级中及在所述下存储器单元层级中的所述绝缘体材料在穿过轴且沿所述轴水平伸长的竖直横截面中具有横向外线性直表面。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法投资绝缘体单元材料线性存储器横截面横向专利电路电容器层级

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