长江存储申请电容器及其制造方法、存储器件专利，缓冲层覆盖至少部分导电层的表面_资讯

长江存储申请电容器及其制造方法、存储器件专利，缓冲层覆盖至少部分导电层的表面

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2026-03-23 19:59:34

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“电容器及其制造方法、存储器件”的专利，公开号CN121712036A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种电容器及其制造方法、存储器件；其中，电容器包括：介质层；分别位于介质层两侧的第一电极和第二电极；第一电极包括层叠设置的导电层和缓冲层，缓冲层的材料包括含铟元素的氧化物；缓冲层覆盖至少部分导电层的表面。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1431次，财产线索方面有商标信息975条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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