华虹半导体申请化学气相沉积方法专利，降低了滑片几率_资讯

华虹半导体申请化学气相沉积方法专利，降低了滑片几率

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2026-03-22 03:21:54

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“化学气相沉积方法”的专利，公开号CN121700358A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种化学气相沉积方法，包括：通过CVD工艺在工艺腔室的上极板和下极板表面形成保护层，该保护层包括硅氧化物，在形成保护层的过程中通入的反应气体包括含硅有机物和氧气；通入氧气，在上极板和下极板之间通入射频电压，消耗工艺腔室中残留的含硅有机物；通过机械臂将晶圆传送至下极板上放置；通过CVD工艺在晶圆上沉积目标薄膜层；通过机械臂将晶圆传送出工艺腔室。本申请通过在晶圆上通过CVD工艺沉积形成目标薄膜层之前，在工艺腔室的上极板和下极板的表面形成保护层之后，继续通入氧气和射频电压消耗残留的含硅有机物，减少了机械臂上含硅有机物的粘附，进而在一定程度上降低了滑片几率，提高了良率和生产效率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2941次，专利信息1980条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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